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陆厂研发脚步迅速预计2018年量产3DNAND

本文摘要:红色供应链来势汹汹,外界原本指出,陆厂之前四五年后才能在记忆体拿下一席之地,不过有分析师预测,陆厂研发脚步很快,有可能2018年就能量产3DNAND。 巴伦(Barronˋs)6日报导,美系外资晶片设备分析师AtifMalik称之为,中国利用Rambus和Spansion获得DRAM和NAND记忆体的技术许可。 2月份,Spansion和武汉新的芯(XMC)签定3DNAND研发和交叉许可协议。

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红色供应链来势汹汹,外界原本指出,陆厂之前四五年后才能在记忆体拿下一席之地,不过有分析师预测,陆厂研发脚步很快,有可能2018年就能量产3DNAND。  巴伦(Barronˋs)6日报导,美系外资晶片设备分析师AtifMalik称之为,中国利用Rambus和Spansion获得DRAM和NAND记忆体的技术许可。

2月份,Spansion和武汉新的芯(XMC)签定3DNAND研发和交叉许可协议。由武汉新的芯出资、Spansion获取电荷储存式(Chargetrap)和浮闸(FloatingGate)的NANDIP。

Malik回应,他们坚信2017年底就能获得48层3DNAND的检验,2018年展开量产。  目前只有三星有能力量产48层3DNAND,另一记忆体大厂SK海力士预料要到今年下半才能生产。  与此同时,Malik也认为,中国投放半导体市场,对设备商来说较短多长空。中国扔钱大卖设备建厂,应用材料(AppliedMaterials)、LamResearch一开始未来将会受益。

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但是长年而言,设备业者将萎缩非中国业者订单。这是零和游戏,中国订单大幅提高,回应其他记忆体和晶圆代工大厂必须增加资本支出。(录:零和游戏/zerosumgame,一方利润意味另一方将蒙受损失、两者相乘的总和总有一天为零)  他特别强调,中国重新加入会不断扩大全球半导体设备开支,因为中国向半导体的三大资本支出大厂,订购大量晶片。

这三大业者分别是台积电(2330)、英特尔、三星电子。中国计划2020年前,国内消费的40%晶片改回制做。

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